Uma nova tecnologia descoberta por pesquisadores de Taiwan, em parceria com a Universidade de Berkeley, na Califórnia, deve proporcionar um grande salto no desenvolvimento de memórias. Os cientistas conseguiram criar um dispositivo capaz de exceder a velocidade dos modelos atuais em até cem vezes.
De acordo com um artigo publicado na Applied Physics Letters, o dispositivo utiliza um material não condutor que integra nanopontos de silício alinhados de maneira horizontal. Cada um dos pontos tem três nanômetros de diâmetro e representa um bit de memória único.
O artigo menciona ainda que a tensão de funcionamento do dispositivo de memória não volátil é de 7 volts e a velocidade com que os nanopontos são apagados é inferior a 1 microssegundo. Os materiais e os processos utilizados para os dispositivos são compatíveis com os existentes na atualidade e também podem ser empregados em outras estruturas avançadas.
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